Производитель Номер продукта:
IPI070N08N3 G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI070N08N3 G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12801015
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI070N08N3 G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 73µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3840 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI070N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI070N08N3 G-DG
IPI070N08N3G
SP000454290
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS83PE6327
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IPD65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3